发布网友 发布时间:2022-04-20 09:21
共4个回答
热心网友 时间:2022-07-11 22:05
从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容,这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道,电容从零电压充电到额定电压是需要时间的,电容容值越大所需的充电时间就越长。在开关电路(比如电机驱动电路)中我们总是希望能达到精准控制的效果,所以事实上一般这样的电路对mos管的开关速度通常要求都很高,这就变相地决定了我们要想办法快速地把寄生电容充满,增大充电电流是快速充电电容的关键所在。这样的充电电流同常达到安*以上,这是单片机io口所不能达到的,所以我们需要用到三极管放大信号电流从而达到快速通断mos管的效果。热心网友 时间:2022-07-11 22:05
我用LED驱动是直接用MOS管的,没接三极管,也是PWM模式。热心网友 时间:2022-07-11 22:06
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热心网友 时间:2022-07-11 22:07
三极管在电路中的作用是电压放大,通过三极管的转换,以使51单片机输出的PWM信号电平,升高至满足MOS管的驱动电压。追问三极管不是电流放大吗,单片机输出高电平时有5V了,为什么还要放大,再放大还不是5V吗,再有MOS管栅极2V就可以导通,似乎又足够了啊。追答您说的也有道理,单片机输出高电平时有5V了,可以直接驱动MOS管,但电路在设计时考虑到阻抗匹配,或驱动控制的可靠性,或者将输出电平反向,还是加了一级三极管电路。
热心网友 时间:2022-07-11 22:05
从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容,这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道,电容从零电压充电到额定电压是需要时间的,电容容值越大所需的充电时间就越长。在开关电路(比如电机驱动电路)中我们总是希望能达到精准控制的效果,所以事实上一般这样的电路对mos管的开关速度通常要求都很高,这就变相地决定了我们要想办法快速地把寄生电容充满,增大充电电流是快速充电电容的关键所在。这样的充电电流同常达到安*以上,这是单片机io口所不能达到的,所以我们需要用到三极管放大信号电流从而达到快速通断mos管的效果。热心网友 时间:2022-07-11 22:06
我用LED驱动是直接用MOS管的,没接三极管,也是PWM模式。热心网友 时间:2022-07-11 22:06
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热心网友 时间:2022-07-11 22:07
三极管在电路中的作用是电压放大,通过三极管的转换,以使51单片机输出的PWM信号电平,升高至满足MOS管的驱动电压。追问三极管不是电流放大吗,单片机输出高电平时有5V了,为什么还要放大,再放大还不是5V吗,再有MOS管栅极2V就可以导通,似乎又足够了啊。追答您说的也有道理,单片机输出高电平时有5V了,可以直接驱动MOS管,但电路在设计时考虑到阻抗匹配,或驱动控制的可靠性,或者将输出电平反向,还是加了一级三极管电路。