MOS管的夹断区和饱和区的区别是什么

发布网友 发布时间：2022-04-20 09:35

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热心网友 时间：2023-07-11 12:22

MOS管的夹断区和饱和区的区别是：

1、Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关系不同：

夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。

2、Id的取值不同：

夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。

3、场效应管的状态不同：

夹断区也称为截止区，此时MOS（场效应管）管为截止状态；饱和区也称为放大区，MOS管用作放大元件时，都工作在这一区。

场效应晶体管简称场效应管。分为两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管简称MOS管）。

扩展资料

场效应管的作用：

1）因为场效应管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。所以常场效应管用于放大电路。

2）因为场效应管的输入阻抗很高，所谓非常适合用作放大器输入级作阻抗变换。

3）场效应管可用于可变电阻。

4）场效应管用作恒流源。

5）场效应管用作电子开关。

参考资料来源：《电子技术基础  模拟部分》 虞光楣  主编   北京工业大学出版社 

  第一章  半导体器件的基本知识  1.4 场效应管

参考资料来源：百度百科--场效应管

热心网友 时间：2023-07-11 12:23

一个是截止区，一个是导通区

热心网友 时间：2023-07-11 12:23

栅极电压可以产生沟道，也可以使沟道消失——夹断；而源-漏电压也有可能使MOSFET的沟道夹断（局部夹断），则沟道夹断的电压对应有两个电压。一般，产生或者夹断沟道的栅极电压称为阈值电压VT，而使沟道夹断的源-漏电压往往称为饱和电压Vsat，因为这时的源-漏电流最大、并饱和（即与源-漏电压无关）。
（1） 耗尽型n-MOSFET：
耗尽型MOSFET在栅极电压为0时即存在沟道。当负栅电压增大到使沟道夹断（整个沟道均匀夹断）时，这时的栅电压就称为夹断电压Vp——耗尽型MOSFET的阈值电压。
在VGS>Vp时，IDS=0，即为截止状态。
在VGS<Vp时，存在沟道，IDS≠0：若VDS较低，则为线性导电状态；若VDS= (Vp－VGS)时，则沟道在漏极端附近处夹断（非整个沟道夹断），漏极电流达到最大——饱和电流，这时的源-漏电压就称为饱和电压。饱和电压也就是使沟道发生局部夹断时的源-漏电压。在VDS≥Vsat= (Vp－VGS)即为MOSFET的饱和区。
（2）增强型n-MOSFET：
增强型MOSFET在栅极电压为0时即不存在沟道。当正栅电压增大到出现沟道时，这时的栅极电压特称为开启电压Vop——增强型MOSFET的阈值电压。
在VGS<Vop时，没有沟道，则IDS=0，即为截止状态。
在VGS>Vop时，存在沟道，IDS≠0：若VDS较低，则为线性导电状态；若VDS≥ (VGS－Vop)时，则沟道在漏极端附近处夹断（非整个沟道夹断），漏极电流达到最大、并饱和，MOSFET即进入饱和状态。沟道开始夹断时的源-漏电压即为饱和电压Vsat= (VGS－Vop)。
（3）沟道夹断以后的导电性：
场效应晶体管是依靠多数载流子在沟道中的导电来工作的。没有沟道（栅极电压小于阈值电压时），即不导电——截止状态。出现了沟道（栅极电压大于阈值电压时），即可导电；并且在源-漏电压增大到使得沟道在漏极端夹断以后，其电流达到最大——饱和电流，即导电性能更好。为什么集电区能够很好地导电？
因为沟道夹断区实际上就是载流子被耗尽的区域，其中存在有沿着沟道方向的电场，所以只要有载流子到达夹断区边缘，就很容易被扫过夹断区而到达漏极——输出电流。可见，沟道夹断区与BJT的反偏集电结的势垒区类似，不但不起阻挡载流子的作用，而且还将有利于载流子的通过。因此，沟道夹断以后，器件的输出电流饱和，即达到最大。