不需要光刻机，真的能够制造出芯片吗？

发布网友 发布时间：2022-03-27 01:11

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懂视网 时间：2022-03-27 05:33

刻蚀机和光刻机的区别如下：

　　

　　1、工艺不同：刻蚀机是将硅片。上多余的部分腐蚀掉，光刻机是将图形刻到硅片上。

　　

　　2、难度不同：光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

　　

　　等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由。此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。

热心网友 时间：2022-03-27 02:41

不需要光刻机，真的能够制造出芯片吗？

芯片制造是我国科学家面临的大问题。有必要突破西方国家的芯片封锁，不仅需要升级闪电机，还需要具有高强度掌握光刻胶的应用。光刻和蚀刻机是芯片制造所需的两个主要设备。现在我国的研究人员通过蚀刻机的技术困难成功地突破，但瞬间机器的困难并没有破碎。很多人都担心，没有照明机器，芯片会不会做到吗？事实上，它不必担心太多了。这不是中国专家打破常规取代了光刻技术并给了！

有人说，中国希望制作芯片，即使有一个轻微的时刻还是不够，也有必要打破西方国家的垄断师的光致抗辩。光刻的第一步是在样品上施加光致抗蚀剂，然后将其覆盖到所需位置。目前，我国的光刻技术和欧洲和美国是差距，所以最好的方法是跳出来，取代了其他技术计划。据浙江新闻报道称，母鸡恏研究小组决定打破常规，用水而不是光致抗蚀剂，将样品放入真空设备中，在样品冷却后，然后注射水蒸气，等待它，研究人员将是他们自己的“冰明胶”。

“icelastic”技术是非常有利的，并且水蒸气可以覆盖任何形状的表面，即使是小样品也可以，并且水蒸气非常光，并且如果施加可以在脆弱的材料上加工。水的性质是相对特别有利的，并且电子束可以分散水，从而可以节省非常麻烦的步骤，并且不需要重新使用传统光刻等化学试剂。清洁模具并形成模具，不仅可以避免洗涤引起的污染，或避免由未清洁引起的质量问题。

该技术已经能够完成数十个纳米的程度，并且随着科学研究水平不断改进，当前光致抗蚀剂的最终雕刻也很可能也很可能。从世界研究的角度来看，对“冰胶”取代光致抗蚀剂并不大量的研究。除了我的国家外，只能使用两个实验室，另一个是丹麦。当我了解到我国获得的这个重要科研结果时，一些网友嘲笑，在这项技术中美国似乎很慢这次我给了西方课程。

热心网友 时间：2022-03-27 03:59

现有3D打印技术的确可以制造芯片、柔性集成电路等，但是问题在于产量与精度。
据非官方消息，老美现在可以通过碳烯管、金属向半导体与高导电金属等，可以制程50~125纳米级(0.05~0.125微米)芯片，如选择3D(立体)制程工艺，其理论密度应可超过同等级制程工艺的光刻芯片。但是这种制程速度就非常感人了！无法达到工业化生产的底线。
这是几年前的信息了，现在具体啥样也不知道。但是3D打印芯片确实可以看作一种趋势，但是至少几年或者十几年之内，应该不会成为主流吧(个人意见)。
写在最后：就是与3D打印芯片相比，我们更应该在意的是光刻。如果说破除芯片封锁的话，3D打印的难度比这个更大！因为纳米级亦或微米级的半导体结构与凝聚取向等都是难以突破的障碍。碳基绝缘体与金属导线等，也不比光刻技术简单；再者，根据相关报道可以发现，3D打印的精度肯定与光刻不是一个数量级，真正成熟的制程或者可以工业化生产的制程，至少也要比光刻的制程工艺精度超出许多。
这就有点儿像上世纪90年代、世纪初时的机械式硬盘与固态硬盘的区别，早在1993~1995年的时候，就曾看到IBM有关固态存储的介绍，但是直到世纪初的时候才有小容量的优盘、固态存储的出现，直到2010年左右，才有容量合适的固态硬盘。
如果按照这个对比速度…3D打印的芯片达到现在光刻的水平，光刻早就不知发展的如何了……

热心网友 时间：2022-03-27 05:33

当然不能，光刻机是目前制造芯片的唯一用途，不然是个人都能造芯片了。

热心网友 时间：2022-03-27 07:25

能制造出来的，因为现在的芯片技术已经取得了一个质的飞跃。是非常先进的。是可以制造出来的。

热心网友 时间：2022-03-27 09:33

不能，未来有可能实现但是需要科学家的共同努力，对于未来的事情有无限的可能。